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Technische Information / Technical Information
Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module
DD B6U 85 N 12...18 (ISOPACK)
N
B6
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Stospitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Durchlastrom-Grenzeffektivwert (pro Element) RMS forward current (per chip) Ausgangsstrom output current
TC = 100C TC = 84C TA = 45C, KM 11 TA = 45C, KM 33 TA = 35C, KM 14 (VL = 45l/s) TA = 35C, KM 33 (VL = 90l/s) Tvj = + 25C...Tvj max Tvj = - 40C...Tvj max
VRRM
1200, 1400 1600, 1800
V V V V A
VRSM
1300, 1500 1700, 1900
IFRMSM
60
Id
85 104 58 75 104 104
A A A A A A A A As As
Stostrom-Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral It-value
Tvj = 25C, tS = 10ms Tvj = Tvj max, tp = 10ms Tvj = 25C, tS = 10ms Tvj = Tvj max, tp = 10ms
IFSM
650 550
It
2100 1500
Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung forward voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand
Tvj = Tvj max, iF = 100A
vF
max.
1,44
V
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Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
V(TO)
0,75
V
rT
5,5
m
forward slope resistance Sperrstrom reverse current Isolations-Prufspannung insulation test voltage
RMS, f = 50Hz, t = 1min RMS, f = 50Hz, t = 1sec Tvj = Tvj max,vR = VRRM
iR
max.
5
mA
VISOL
3,0 3,6
kV kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case
pro Modul / per module, = 120rect pro Element / per chip, = 120rect pro Modul / per module, DC pro Element / per chip, DC
RthJC
max. 0,241 max. 1,450 max. 0,183 max. 1,100
C/W C/W C/W C/W C/W C/W C
Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Hochstzulassige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature
pro Modul / per module pro Element / per chip
RthCK
max. 0,033 max. 0,200
Tvj max
150
Tc op
- 40...+150
C
Tstg
- 40...+150
C
MOD-E1; R. Jorke
09. Feb 99
A /99
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Technische Information / Technical Information
Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module
DD B6U 85 N 12...18 (ISOPACK)
N
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Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehause, siehe Anlage case, see appendix Si-Elemente mit Lotkontakt, glaspassiviert Si-pellets with soldered contact, glass-passivated Innere Isolation internal insulation Anzugsdrehmoment fur mechanische Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment fur elektrische Anschlusse terminal connection torque Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance Kuhlkorper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33
f = 50Hz Toleranz / tolerance +5% / -10% Toleranz / tolerance 15%
Seite 3 page 3
Al2O3
M1
6
Nm
M2
4
Nm
G
typ.
220
g
12,5
mm
50
m/s
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Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehorigen Technischen Erlauterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. MOD-E1; R. Jorke 09. Feb 99 Seite/page 2(6)
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Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module
DD B6U 85 N 12...18 (ISOPACK)
N
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DD B6U 85 N 12...18 (ISOPACK)
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Analytische Elemente des transienten Warmewiderstandes ZthJC fur DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R thn [ C / W ] 0,60300
0,35000
0,06700
0,08400
n [s]
0,30200
0,03780
0,00400
0,00109
Analytische Funktion:
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nmax
Z thJC =
R
n= 1
thn1 - e

-
t n

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DD B6U 85 N 12...18 (ISOPACK)
N
B6
1,60
120 rect 1,40
1,20 DC 1,00
ZthJC [C/W]
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0,80 0,60
0,40
0,20
0,00 0,001
0,01
0,1 t [s]
1
10
Transienter innerer Warmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z = f(t) thJC Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle
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Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module
DD B6U 85 N 12...18 (ISOPACK)
N
B6
160
150
140
130
120
110
100 TC [C]
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90 80 70
60
50
40
30
20 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 Id [A]
Hochstzulassige Gehausetemperatur / Maximum allowable case temperaturCT f(Id) =
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